产品展示
  ·聚焦离子束
  ·显微镜
  ·化学处理
  ·探针台
  ·邦定机
  ·反向提图
联系我们

深圳市华丛科技有限公司

深圳市南山区高新技术产业园中区科文路2号

地铁:深大站A3出口 深圳科技园广场50米

公交:深大北门/科技园

胡小姐:15173182572

邮箱:hy.liu@hc-hc.com

QQ:2631437646 

聚焦离子束 当前位置:首页 - 产品展示
 
产品名称:电路修复良率的提高建议

产品介绍:

为节省客户的时间成本,加快产品的上市时间,以下罗列出几点需要注意的事项,以求提升电路修复良率:‘


   在去封胶、打线或封装后建议先回测再进行FIB。 

   同一颗IC上执行越多的修改内容 ,失败风险会越高。 

   FIB联机的阻值较原IC联机要高,若有低电阻联机需求请于委案时先注明。 

   建议提供GDSII电路图文件以利定位(局部区域或层数即可) ,将有助提升良率。

如您有用FIB修改芯片线路的需要,欢迎联系我们!
深圳市华丛科技有限公司
深圳市南山区高新技术产业园中区科文路2号
http://www.hc-hc.com/
地铁:深大站A3出口 深圳科技园广场50米
公交:深大北门/科技园
刘小姐:18123967933
高小姐:15014519820
邮箱:hy.liu@hc-hc.com
QQ:2631437646

【上一条】FIB-芯片修改的优势与不足
【下一条】聚焦离子束的物理基础及其应用
 
 
版权所有 Copyright©2017 深圳市华丛科技有限公司 粤ICP备17039881号
地址:深圳市南山区高新技术产业园中区科文路2号  邮箱:ying.hu@hc-hc.com    高小姐:15014519820 
友情链接:易创互联 深圳市科技创新委员会 老杳吧 集成电路技术创新与应用展 仪器信息网 聚焦离子束论坛